Бардин Джон

Born
1908-05-23
Died
1991-01-30

Американский физик, член Национальной АН (с 1954 г.). Родился в Мадисоне. Окончил Висконсинский университет (1928 г.). В 1938-1941 гг. работал в Миннесотском университете, в 1945-1951 гг.- в лаборатории Бэлл-телефон, с 1951 г. - профессор Иллинойского университета.

Основные научные работы посвящены физике твердого тела и сверхпроводимости. Вместе с У. Браттейном открыл в 1948 г. транзисторный эффект и создал кристаллический триод с точечным контактом - первый полупроводниковый транзистор (Нобелевская премия, 1956 г.). В 1951 г. предпринял попытку построения теории сверхпроводимости, основанную на учете электронно- фононного взаимодействия, в 1952 г. провел вычисления притяжения между электронами, обусловленного обменом виртуальными фононами; в 1957 г. совместно с Л. Купером и Дж. Шриффером построил микроскопическую теорию сверхпроводимости (Нобелевская премия, 1972 г.). Развил теорию эффекта Мейсснера на основе модели с энергетической щелью, независимо от других обобщил в 1958 г. теорию электромагнитных свойств сверхпроводников на случай полей произвольной частоты. В 1961 г. предложил в теории туннелирования метод эффективного гамильтониана (модель туннелирования Бардина), в 1962 г. вычислил критические поля и токи для гонких пленок на основе теории БКШ.