Cоветский физик, организатор физических исследований в СССР, академик (с 1920 г.). Родился в г.Ромны. Окончил Петербургский технологический (1902 г.). Научную работу начал в лаборатории В. К. Рентгена в Мюнхене. В 1906 г. возвратился в Россию и начал работать в Петербургском политехническом институте (с 1913 г.- профессор). В октябре 1918 г. по его инициативе создан физико-технический отдел в Рентгенологическом и радиологическом институте (реорганизованном вскоре в Ленинградский физико-технический ), а в 1919 г.- физико- механический факультет в Политехническом институте. На базе этих центров физической науки в СССР в последующие годы была создана разветвленная сеть научно-исследовательских институтов физического профиля (физико- технические институты в Харькове, Днепропетровске, Томске и др.) и кадры ученых физиков. Широкий кругозор и способность предвидения, выдающийся талант ученого и организатора дали Иоффе возможность осуществить реформу физики в нашей стране, воспитать большой отряд физиков, показать значение физики для техники и народного хозяйства. Из школы Иоффе вышли известные советские физики, многие из которых сами стали основателями собственных школ: академики А. П. Александров, А. И. Алиханов, Л. А. Арцимович, П. Л. Капица, Б. П. Константинов, Г. В. Курдюмов, И. В. Курчатов, П. И. Лукирский, И. В. Обреимов, Н. Н. Семенов, Ю. Б. Харитон, член-корреспондент АН СССР Я. И. Френкель, академик АН УССР А. К. Вальтер, В. Латкарее, А. И. Лейпунский, К. Д. Синельников и многие др. До 1954 г. Иоффе был директором Физико-технического института АН СССР, а затем возглавил институт полупроводников АН СССР.
Научные работы посвящены физике твердого тела и общим вопросам физики. Особенно значительный вклад был сделан им в физику и технику полупроводников, он один из первых указал основные направления применения полупроводников. Уже в докторской диссертации, выполненной в лаборатории Рентгена в Мюнхене, Иоффе проявил мастерство экспериментатора и решил важный в то время вопрос упругого последействия в кристаллах, за что ему была присуждена степень доктора с высшим отличием. Классическими стали его исследования пластической деформации рентгенографическим методом. Изучая механические свойства кристаллов, он обнаружил, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности. Это открытие имело важное значение для техники. Иоффе первый выяснил вопрос о так называемых электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кристалла. Определил, что незначительные примеси сильно влияют на электропроводность диэлектриков, и разработал методы очистки кристаллов. Работы Иоффе с сотрудниками по изучению электрической прочности тонких слоев диэлектриков завершились созданием новых электротехнических материалов и разработкой методов устранения перенапряжений.
В начале 30-х годов научные интересы Иоффе сосредоточились в области физики полупроводников, где он со своими сотрудниками достиг больших успехов, открыв ряд явлений, важных для технического применения. Исследовав целый ряд полупроводников, он обнаружил, что на их электрические свойства очень сильно влияют примеси, в частности было выяснено, что последние в широком диапазоне меняют их проводимость и знак носителей тока. Открытым явлениям, в частности механизму проводимости полупроводников, Иоффе дает четкое объяснение. Он формулирует новую идею о природе полупроводниковых свойств большой группы интерметаллических сплавов - дальтонидов - и подробно изучает их. Благодаря этому был открыт путь к созданию полупроводниковых материалов, свойства которых можно изменять в широких пределах. Важной проблемой физики полупроводников, которой также занимался Иоффе, была проблема выпрямления. В конце 30-х годов он сформулировал представление о механизме выпрямления, которое в общих чертах и сегодня является общепринятым и в значительной мере способствовало успехам промышленного изготовления диодов.
Большой вклад внес Иоффе также в проблему применения термо- и фотоэлектрических свойств полупроводников для преобразования тепловой и световой энергии в электрическую. Он разработал теорию термоэлектрогенераторов и термоэлектрических холодильников, выдвинул идею плазменного термоэлектричества. Еще накануне войны Иоффе с сотрудниками создал сернистоталлиевый фотоэлемент с к. п. д. более 1%.
Иоффе - автор ряда мемуарных сочинений. Был вице-президентом АН СССР, вице-президентом Российского физико-химического общества, председателем Всесоюзной ассоциации физиков. Лауреат Государственной премии СССР (1942 г.) и Ленинской премии (1961 г., посмертно), Герой Социалистического Труда (1955 г.). Член многих академий наук и научных обществ.
