Советский физик, академик (с 1970 г.). Родился в с. Яноуцы (ныне Ивановцы Черновицкой обл.). Окончил Киевский университет (1928 г.). Работал в Украинском метрологическом институте и Всеукраинском рентгеновском институте. С 1936 г. — в Ленинградском физико техническом институте (с 1969 г.—директор), до 1960 г. преподавал также в Политехническом институте.

Научные работы относятся в основном к физике и технике полупроводников. В лаборатории Тучкевича в Физико-техническом институте были разработаны первые в нашей стране германиевые и кремниевые диоды и триоды. Исследовал генерацию и рекомбинацию электронов и дырок в германии, легированном различными примесями, положение примесных уровней. Открыл интересные свойства диодов, легированных золотом, изучал поведение электронов и дырок в системах с несколькими электронно-дырочными переходами. Эти исследования привели к разработке принципов получения германиевых плоскостных диодов и триодов, фотоэлементов и фотодиодов.

Совместно с Б. М. Вулом и С. Г. Калашниковым заложил основы современной отечественной полупроводниковой промышленности, создал новое направление — силовую полупроводниковую технику, разработав силовые полупроводниковые приборы — германиевые и кремниевые вентили, мощные диффузионные управляемые вентили (тиристоры) с высокими техническими показателями, лавинные неуправляемые и управляемые вентили (Ленинская премия, 1966 г.).

Совместно с А. П. Александровым и И. В. Курчатовым разрабатывал системы размагничивания кораблей для защиты их от магнитных мин (Государственная премия СССР, 1942 г.); проводил исследования по разделению изотопов.