Вул Бенцион Моисеевич

Вул Бенцион Моисеевич
Born
1903-05-22
Died
1985-04-09

Cоветский физик, академик (с 1972 г.). Родился в Белой Церкви. Окончил Киевский политехнический (1928 г.). С 1932 г. работает в Физическом институте АН СССР

Основные работы посвящены физике диэлектриков и полупроводников. Исследовал электрическую прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя (последовательного) диэлектрика, изучал электрические разряды в газах в однородных и неоднородных полях при различных давлениях. Исследовал твердые диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, изучал явления в диэлектриках при сильном гамма-облучении установив основные закономерности изменения электропроводности диэлектриков под действием гамма-излучения. Открытие и исследование Вулом с сотрудниками сегнетоэлектрических свойств титаната бария (1944 г.) положило начало созданию нового класса диэлектриков, отличающихся своими исключительными свойствами, - сегнетоэлектриков с большим пьезомодулем (Государственная премия СССР, 1946 г.).

В 1948 г. Вул с сотрудниками начал исследования по физике полупроводников, в результате которых впервые в СССР выращены монокристаллы германия и исследованы неравновесные электронные процессы в нем. Под руководством Вула в нашей стране была начата разработка первых полупроводниковых диодов, транзисторов и солнечных элементов. Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений в германии и кремнии привели к созданию кремниевых фотоэлементов советских солнечных батарей. Вул создал диффузионный транзистор и предложил р - п-переходы в полупроводниках использовать в качестве нелинейных конденсаторов. При непосредственном участии Вула созданы первые в СССР полупроводниковые квантовые генераторы (Ленинская премия, 1964 г.).

Герой Социалистического Труда (1969 г.).